FQA10N80

Výrobca Číslo produktu:

FQA10N80

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FQA10N80-DG

Popis:

MOSFET N-CH 800V 9.8A TO3P

Podrobný popis:

N-Channel 800 V 9.8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventár:

Online RFQ

12846646

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FQA10N80 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

QFET®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

800 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

9.8A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

1.05Ohm @ 4.9A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

5V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

71 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

2700 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

240W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-3P

Balenie / puzdro

TO-3P-3, SC-65-3

Základné číslo produktu

FQA1

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

30

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

HUFA76407P3

MOSFET N-CH 60V 13A TO220-3

onsemi

NVTFWS003N04CTAG

MOSFET N-CH 40V 22A/103A 8WDFN

onsemi

EC4401C-TL

MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4

onsemi

FQA16N50

MOSFET N-CH 500V 16A TO3P