FQA6N90
Výrobca Číslo produktu:

FQA6N90

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FQA6N90-DG

Popis:

MOSFET N-CH 900V 6.4A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 6.4A (Tc) 198W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventár:

Online RFQ
12837852
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FQA6N90 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
900 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.9Ohm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1880 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
198W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
FQA6

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
450

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
onsemi

FDC638P

MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

onsemi

FDS4070N7

MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO

onsemi

FQPF27P06

MOSFET P-CH 60V 17A TO220F

onsemi

FQB4N90TM

MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK