Výrobca Číslo produktu:
FQA7N90M
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQA7N90M-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 7A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventár:
12836144
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQA7N90M Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
900 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.8Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1880 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
210W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
FQA7
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQA19N60
MOSFET N-CH 600V 18.5A TO3PN
HUF75332S3ST
MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
FDMS7580
MOSFET N-CH 25V 15A/29A 8PQFN
