FQA9N50
Výrobca Číslo produktu:

FQA9N50

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FQA9N50-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 9.6A TO3P
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 9.6A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventár:

12849998
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FQA9N50 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
730mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1450 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
160W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
FQA9

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
450

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
STW14NK50Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
66
ČÍSLO DIELU
STW14NK50Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.95
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPB45N06S3-16

MOSFET N-CH 55V 45A TO263-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOD450

MOSFET N-CH 200V 3.8A TO252

infineon-technologies

BSZ120P03NS3EGATMA1

MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON

alpha-and-omega-semiconductor

AO4720

MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC