Výrobca Číslo produktu:
FQA9P25
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQA9P25-DG
Popis:
MOSFET P-CH 250V 10.5A TO3P
Podrobný popis:
P-Channel 250 V 10.5A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventár:
710 Ks Nové Originálne Na Sklade
12846165
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQA9P25 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tube
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
620mOhm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1180 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3P
Balenie / puzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Základné číslo produktu
FQA9
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
30
Iné mená
FQA9P25FS
FQA9P25-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TSM038N04LCP ROG
VÝROBCA
Taiwan Semiconductor Corporation
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
480
ČÍSLO DIELU
TSM038N04LCP ROG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.56
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
