FQAF17N40
Výrobca Číslo produktu:

FQAF17N40

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FQAF17N40-DG

Popis:

MOSFET N-CH 400V 12.2A TO3PF
Podrobný popis:
N-Channel 400 V 12.2A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventár:

12851046
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FQAF17N40 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
400 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
270mOhm @ 6.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3PF
Balenie / puzdro
TO-3P-3 Full Pack
Základné číslo produktu
FQAF1

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
360

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPAN65R650CEXKSA1

MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220

onsemi

FDD6530A

MOSFET N-CH 20V 21A TO252

onsemi

FDMC86260ET150

MOSFET N-CH 150V 5.4A/25A PWR33

onsemi

FDD5810-F085

MOSFET N-CH 60V 7.4A/37A DPAK