Výrobca Číslo produktu:
FQAF19N60
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQAF19N60-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 11.2A TO3PF
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 11.2A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Inventár:
12849600
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQAF19N60 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
120W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-3PF
Balenie / puzdro
TO-3P-3 Full Pack
Základné číslo produktu
FQAF1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
360
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP11NM60
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
324
ČÍSLO DIELU
STP11NM60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.75
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
APT6038BFLLG
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
APT6038BFLLG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
10.00
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
APT6038BLLG
VÝROBCA
Microchip Technology
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
APT6038BLLG-DG
CENA ZA JEDNOTKU
9.72
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AOW12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO262
AON6912ALS
MOSFET N-CH
FCP22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3