FQAF22P10

Výrobca Číslo produktu:

FQAF22P10

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FQAF22P10-DG

Popis:

MOSFET P-CH 100V 16.6A TO3PF

Podrobný popis:

P-Channel 100 V 16.6A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventár:

Online RFQ

12847241

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FQAF22P10 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

QFET®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

100 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

16.6A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

125mOhm @ 8.3A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

50 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1500 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

70W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-3PF

Balenie / puzdro

TO-3P-3 Full Pack

Základné číslo produktu

FQAF2

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

30

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

FCPF11N60

MOSFET N-CH 600V 11A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AOB2502L

MOSFET N-CH 150V 106A TO263

onsemi

NVMFS5C450NLT3G

MOSFET N-CH 40V 5DFN

onsemi

FCPF850N80Z

MOSFET N-CH 800V 6A TO220F