Výrobca Číslo produktu:
FQB12P20TM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQB12P20TM-DG
Popis:
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 200 V 11.5A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12848729
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQB12P20TM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
470mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1200 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FQB12P20
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
FQB12P20TMDKR
FQB12P20TMCT
2156-FQB12P20TM-OS
ONSONSFQB12P20TM
FQB12P20TM-DG
FQB12P20TMTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF9640STRRPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6065
ČÍSLO DIELU
IRF9640STRRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.42
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQB1P50TM
MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
IPB065N15N3GE8187ATMA1
MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7
AOTF18N65
MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3F
