Výrobca Číslo produktu:
FQB13N06TM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQB13N06TM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 13A (Tc) 3.75W (Ta), 45W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12836915
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQB13N06TM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
135mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
310 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.75W (Ta), 45W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FQB1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB16NF06LT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1500
ČÍSLO DIELU
STB16NF06LT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.57
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMS8690
MOSFET N-CH 30V 14A/27A 8MLP
2SJ656
MOSFET P-CH 100V 18A TO220ML
FDMS86104
MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
