Výrobca Číslo produktu:
FQB13N10LTM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQB13N10LTM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 12.8A (Tc) 3.75W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12838741
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQB13N10LTM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12.8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
180mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
520 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.75W (Ta), 65W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FQB1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDB045AN08A0-F085
MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB
FDB3672-F085
MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
FQPF7N80
MOSFET N-CH 800V 3.8A TO220F
