Výrobca Číslo produktu:
FQB19N20TM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQB19N20TM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 19.4A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
2296 Ks Nové Originálne Na Sklade
12848453
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
Di9f
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQB19N20TM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
19.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
150mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1600 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.13W (Ta), 140W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FQB19N20
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
FQB19N20TM-DG
FQB19N20TMCT
FQB19N20TMTR
FQB19N20TMDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AOW2918
MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO262
FDMS7660
MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN
NVMFS6B14NLT3G
MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
