Výrobca Číslo produktu:
FQB25N33TM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQB25N33TM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 330 V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12838129
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQB25N33TM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
330 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
230mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
75 nC @ 15 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2010 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.1W (Ta), 250W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FQB2
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
FQB25N33TMCT
FQB25N33TMTR
FQB25N33TMDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF540NSTRLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7309
ČÍSLO DIELU
IRF540NSTRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.52
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRF644STRLPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IRF644STRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.53
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AUIRLS4030TRL
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
FDPF17N60NT
MOSFET N-CH 600V 17A TO220F
FDP050AN06A0
MOSFET N-CH 60V 18A/80A TO220-3
