Výrobca Číslo produktu:
FQB6N60TM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQB6N60TM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12839168
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQB6N60TM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1000 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FQB6
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STB8NM60D
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2874
ČÍSLO DIELU
STB8NM60D-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.83
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFBC30ASTRLPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
579
ČÍSLO DIELU
IRFBC30ASTRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.26
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STB4NK60ZT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4369
ČÍSLO DIELU
STB4NK60ZT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.77
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDD6778A
MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
FQD5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
FDS4072N7
MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
