Výrobca Číslo produktu:
FQB7P20TM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQB7P20TM-DG
Popis:
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 200 V 7.3A (Tc) 3.13W (Ta), 90W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12850021
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQB7P20TM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
690mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
770 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.13W (Ta), 90W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FQB7P20
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
FQB7P20TMDKR
FQB7P20TMCT
FAIFSCFQB7P20TM
FQB7P20TM-DG
2156-FQB7P20TM-OS
FQB7P20TMTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF9630SPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4025
ČÍSLO DIELU
IRF9630SPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.15
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRF5210STRLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7933
ČÍSLO DIELU
IRF5210STRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.26
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AOW290
MOSFET N-CH 100V 17.5/140A TO262
AOB12N50L
MOSFET N-CH 500V 12A TO263
FDB33N25TM
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
