Výrobca Číslo produktu:
FQB8N25TM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQB8N25TM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 8A D2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 8A (Tc) 3.13W (Ta), 87W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12848900
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQB8N25TM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
530 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.13W (Ta), 87W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FQB8
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AOWF11S60
MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
FDMS8670
MOSFET N-CH 30V 24A/42A 8PQFN
AOT2918L
MOSFET N-CH 100V 13A/90A TO220
