Výrobca Číslo produktu:
FQB9P25TM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQB9P25TM-DG
Popis:
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
Podrobný popis:
P-Channel 250 V 9.4A (Tc) 3.13W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventár:
12838031
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQB9P25TM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
620mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1180 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-263 (D2PAK)
Balenie / puzdro
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Základné číslo produktu
FQB9
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
800
Iné mená
FQB9P25TMDKR
FQB9P25TM-DG
FQB9P25TMTR
FQB9P25TMCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF9640STRLPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5539
ČÍSLO DIELU
IRF9640STRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.92
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRF5210STRLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7933
ČÍSLO DIELU
IRF5210STRLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.26
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQPF5N60CYDTU
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F-3
FQA62N25C
MOSFET N-CH 250V 62A TO3PN
FQB19N20LTM
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK