FQD12N20LTF
Výrobca Číslo produktu:

FQD12N20LTF

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FQD12N20LTF-DG

Popis:

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventár:

12850526
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FQD12N20LTF Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1080 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
FQD1

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
FQD12N20LTM
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4955
ČÍSLO DIELU
FQD12N20LTM-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

FCP190N60

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3

onsemi

FDMS8660S

MOSFET N-CH 30V 25A/40A 8PQFN

alpha-and-omega-semiconductor

AOB2910L

MOSFET N CH 100V 6A TO263

alpha-and-omega-semiconductor

AON4421

MOSFET P-CH 30V 8A 8DFN