Výrobca Číslo produktu:
FQD12N20LTM_SN00173
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQD12N20LTM_SN00173-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12849620
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQD12N20LTM_SN00173 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
21 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1080 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
FQD1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FQD12N20LTM
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4955
ČÍSLO DIELU
FQD12N20LTM-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
FQD12N20LTM-F085
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
10000
ČÍSLO DIELU
FQD12N20LTM-F085-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.43
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
FQD12N20LTM-F085P
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1135
ČÍSLO DIELU
FQD12N20LTM-F085P-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.70
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AO3413L
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3
FQD3N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
FQB7P06TM
MOSFET P-CH 60V 7A D2PAK
