Výrobca Číslo produktu:
FQD13N06LTM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQD13N06LTM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 11A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
1546 Ks Nové Originálne Na Sklade
12848095
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQD13N06LTM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
115mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.4 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
FQD13N06
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
FQD13N06LTMCT
FQD13N06LTMTR
FQD13N06LTMDKR
ONSFSCFQD13N06LTM
FQD13N06LTM-DG
2156-FQD13N06LTM-OS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
ZXMN7A11KTC
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
8389
ČÍSLO DIELU
ZXMN7A11KTC-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.28
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
IRFR020TRPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4530
ČÍSLO DIELU
IRFR020TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.64
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AOT22N50L
MOSFET N-CH 500V 22A TO220
FDB8441-F085
MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
AOD8N25
MOSFET N CH 250V 8A TO252
