Výrobca Číslo produktu:
FQD13N06TF
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQD13N06TF-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12839362
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQD13N06TF Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
140mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
310 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
FQD1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRLR024TRPBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5762
ČÍSLO DIELU
IRLR024TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.42
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
NVD3055-150T4G-VF01
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
NVD3055-150T4G-VF01-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.24
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
ECH8310-TL-H
MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH
FDBL86363-F085
MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
FQP9N50
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-3
