Výrobca Číslo produktu:
FQD2N60CTM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQD2N60CTM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 1.9A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12934284
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQD2N60CTM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.9A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.7Ohm @ 950mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
235 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
FQD2N60
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
FQD2N60CTMTR
FQD2N60CTMDKR
FQD2N60CTMCT
FQD2N60CTM-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
AOD2N60
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
26961
ČÍSLO DIELU
AOD2N60-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.20
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
AOD2N60A
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2499
ČÍSLO DIELU
AOD2N60A-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.20
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
2SK3234-E
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFAG20
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
2SK1847-TB-E
NCH 4V DRIVE SERIES
