Výrobca Číslo produktu:
FQD2N90TM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQD2N90TM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 1.7A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
11464 Ks Nové Originálne Na Sklade
12930578
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQD2N90TM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
QFET®
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
900 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.2Ohm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
FQD2N90
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
FQD2N90TMTR
FQD2N90TM-DG
FQD2N90TMCT
FQD2N90TMDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
HUF76609D3
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
HUFA75307D3ST
MOSFET N-CH 55V 15A TO252AA
AOTF2910L
MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3F
