Výrobca Číslo produktu:
FQD3P50TM-AM002BLT
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQD3P50TM-AM002BLT-DG
Popis:
MOSFET P-CH 500V 2.1A TO252
Podrobný popis:
P-Channel 500 V 2.1A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12838006
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQD3P50TM-AM002BLT Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.9Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
660 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
FQD3P50
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
488-FQD3P50TM-AM002BLTTR
FQD3P50TM_AM002BLT
FQD3P50TM-AM002BLT-DG
FQD3P50TM_AM002BLT-DG
488-FQD3P50TM-AM002BLTDKR
488-FQD3P50TM-AM002BLTCT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FQD3P50TM
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
FQD3P50TM-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.50
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDD5353
MOSFET N-CH 60V 11.5A/50A DPAK
BSO040N03MSGXUMA1
MOSFET N-CH 30V 16A 8DSO
FQD1N60TF
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
