FQE10N20CTU

Výrobca Číslo produktu:

FQE10N20CTU

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FQE10N20CTU-DG

Popis:

MOSFET N-CH 200V 4A TO126-3

Podrobný popis:

N-Channel 200 V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126-3

Inventár:

Online RFQ

12848531

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FQE10N20CTU Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

QFET®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

N-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

200 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

4A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

360mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

26 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

510 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

12.8W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-126-3

Balenie / puzdro

TO-225AA, TO-126-3

Základné číslo produktu

FQE1

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1,920

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

FQP5N80

MOSFET N-CH 800V 4.8A TO220-3

NTMFD4951NFT1G

MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL

onsemi

FDPF16N50T

MOSFET N-CH 500V 16A TO220F

onsemi

NTD24N06G

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK