Výrobca Číslo produktu:
FQH18N50V2
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQH18N50V2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventár:
12850592
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQH18N50V2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
265mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3290 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
277W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-247-3
Balenie / puzdro
TO-247-3
Základné číslo produktu
FQH1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
450
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFP460PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1619
ČÍSLO DIELU
IRFP460PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.01
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STW19NM50N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
337
ČÍSLO DIELU
STW19NM50N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.02
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STW20NK50Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
728
ČÍSLO DIELU
STW20NK50Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.02
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMC8622
MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
FDU3706
MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A IPAK
R6006JND3TL1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252
