FQI27P06TU

Výrobca Číslo produktu:

FQI27P06TU

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FQI27P06TU-DG

Popis:

MOSFET P-CH 60V 27A I2PAK

Podrobný popis:

P-Channel 60 V 27A (Tc) 3.75W (Ta), 120W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventár:

Online RFQ

12848395

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FQI27P06TU Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

QFET®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

60 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

27A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

70mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

43 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±25V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

1400 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

3.75W (Ta), 120W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

I2PAK

Balenie / puzdro

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Základné číslo produktu

FQI2

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

1,000

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

FQPF12N60CT

MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

onsemi

FDP4020P

MOSFET P-CH 20V 16A TO220-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOD6N50

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252

onsemi

FQD30N06LTM

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK