Výrobca Číslo produktu:
FQI7N80TU
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQI7N80TU-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 6.6A (Tc) 3.13W (Ta), 167W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventár:
12837935
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQI7N80TU Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1850 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3.13W (Ta), 167W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-262 (I2PAK)
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
FQI7N80
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FCB290N80
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1509
ČÍSLO DIELU
FCB290N80-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.86
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDT3612
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
FQU1N80TU
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
FQPF2N80
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F
