Výrobca Číslo produktu:
FQN1N50CTA
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQN1N50CTA-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventár:
3302 Ks Nové Originálne Na Sklade
12846565
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQN1N50CTA Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Cut Tape (CT)
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
380mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
195 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-92-3
Balenie / puzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Základné číslo produktu
FQN1N50
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,000
Iné mená
FQN1N50CTA-DG
FQN1N50CTACT
FQN1N50CTADKRINACTIVE
FQN1N50CTADKR
2156-FQN1N50CTA-OS
FQN1N50CTADKR-DG
FQN1N50CTATB
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STQ2HNK60ZR-AP
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
9835
ČÍSLO DIELU
STQ2HNK60ZR-AP-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.28
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AOD2606
MOSFET N-CH 60V 14A/46A TO252
AOTF66616L
MOSFET N-CH 60V 38A/72.5A TO220F
FDP085N10A
MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
