Výrobca Číslo produktu:
FQP12P10
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQP12P10-DG
Popis:
MOSFET P-CH 100V 11.5A TO220-3
Podrobný popis:
P-Channel 100 V 11.5A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12849494
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQP12P10 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
290mOhm @ 5.75A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
75W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FQP12
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FQP17P10
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
FQP17P10-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.64
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF9Z24NPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1872
ČÍSLO DIELU
IRF9Z24NPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.25
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AOTF12T50P
MOSFET N-CH 500V 12A TO220-3F
FQPF44N10
MOSFET N-CH 100V 27A TO220F
FDH50N50-F133
MOSFET N-CH 500V 48A TO247-3
