Výrobca Číslo produktu:
FQP13N50C_F105
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQP13N50C_F105-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 13A (Tc) 195W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12838692
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQP13N50C_F105 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
480mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2055 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
195W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FQP1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFB13N50APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1693
ČÍSLO DIELU
IRFB13N50APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.46
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQP2NA90
MOSFET N-CH 900V 2.8A TO220-3
FDP2710-F085
MOSFET N-CH 250V 4A TO220-3
FDPF5N50NZF
MOSFET N-CH 500V 4.2A TO220F
