Výrobca Číslo produktu:
FQP16N25C
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQP16N25C-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 15.6A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12849572
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQP16N25C Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
15.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
270mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
53.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1080 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
139W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FQP1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFB4229PBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
993
ČÍSLO DIELU
IRFB4229PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.48
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STP17NF25
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2020
ČÍSLO DIELU
STP17NF25-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.55
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RCX120N25
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
RCX120N25-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.05
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AO4290A
MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC
AO4456
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
FDS9431A-F085
MOSFET P-CH 20V 3.5A 8SOIC
