Výrobca Číslo produktu:
FQP2N40-F080
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQP2N40-F080-DG
Popis:
MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 400 V 1.8A (Tc) 40W (Ta) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12848869
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQP2N40-F080 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
400 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.8Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
150 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
40W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FQP2
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
FQP2N40_F080
FQP2N40_F080-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDS8874
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
FCH47N60N
MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
FQPF4P40
MOSFET P-CH 400V 2.4A TO220F
