Výrobca Číslo produktu:
FQP34N20L
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQP34N20L-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 31A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 31A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventár:
12850392
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQP34N20L Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
31A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
75mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
72 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3900 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
180W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FQP3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDMS8660AS
MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8PQFN
FDS3672
MOSFET N-CH 100V 7.5A 8SOIC
AO4701
MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
