FQP5N90
Výrobca Číslo produktu:

FQP5N90

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FQP5N90-DG

Popis:

MOSFET N-CH 900V 5.4A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 5.4A (Tc) 158W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventár:

12848985
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

FQP5N90 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
900 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.3Ohm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1550 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
158W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
FQP5

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
50

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
STP6NK90Z
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
990
ČÍSLO DIELU
STP6NK90Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.41
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

FDS2170N7

MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC

onsemi

FDMA905P

MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET

onsemi

FQB33N10LTM

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK

alpha-and-omega-semiconductor

AO6415

MOSFET P-CH 20V 3.3A 6TSOP