FQPF12P10

Výrobca Číslo produktu:

FQPF12P10

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

FQPF12P10-DG

Popis:

MOSFET P-CH 100V 8.2A TO220F

Podrobný popis:

P-Channel 100 V 8.2A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventár:

Online RFQ

12838161

Požiadať o cenovú ponuku

Množstvo
Minimálne 1

(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín

ODOSLAŤ

FQPF12P10 Technické špecifikácie

Kategória

FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y

Výrobca

onsemi

Balenie

-

Seriál

QFET®

Stav produktu

Obsolete

Typ FET

P-Channel

Technológia

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do zdroja objtage (Vdss)

100 V

Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C

8.2A (Tc)

Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)

10V

Rds zapnuté (max.) @ id, vgs

290mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th) (Max.) @ Id

4V @ 250µA

Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs

27 nC @ 10 V

Vgs (max.)

±30V

Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds

800 pF @ 25 V

Funkcia FET

-

Stratový výkon (max.)

38W (Tc)

Prevádzková teplota

-55°C ~ 175°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balík zariadení dodávateľa

TO-220F-3

Balenie / puzdro

TO-220-3 Full Pack

Základné číslo produktu

FQPF1

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie

50

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)

1 (Unlimited)

Stav nariadenia REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikácia

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Súvisiace produkty

onsemi

FQA65N06

MOSFET N-CH 60V 72A TO3P

onsemi

FDMC7570S

MOSFET N-CH 25V 27A/40A POWER33

onsemi

FQPF13N50CSDTU

MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

onsemi

FDS6688

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC