Výrobca Číslo produktu:
FQPF1N50
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQPF1N50-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 900MA TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 900mA (Tc) 16W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventár:
12839205
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQPF1N50 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
900mA (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9Ohm @ 450mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
150 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
16W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
FQPF1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSS316NL6327HTSA1
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
FDFS2P102A
MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SOIC
HUF76437S3S
MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK
