Výrobca Číslo produktu:
FQPF30N06L
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQPF30N06L-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 22.5A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 22.5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventár:
12838061
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQPF30N06L Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
22.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
35mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1040 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
38W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
FQPF3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
2832-FQPF30N06L
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDPF55N06
VÝROBCA
Fairchild Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
102900
ČÍSLO DIELU
FDPF55N06-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.82
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FCD1300N80Z
MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
ECH8308-P-TL-H
MOSFET P-CH 12V 10A ECH8
FDPF12N35
MOSFET N-CH 350V 12A TO220F
