Výrobca Číslo produktu:
FQPF33N10L
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQPF33N10L-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 18A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 18A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventár:
12838892
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQPF33N10L Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
52mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
40 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1630 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
41W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
FQPF3
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
FQPF33N10LFS
FQPF33N10L-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFI540NPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IRFI540NPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.54
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDB14AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 10A/67A TO263AB
HUFA75307D3
MOSFET N-CH 55V 15A IPAK
FDPF51N25RDTU
MOSFET N-CH 250V 51A TO220F
