Výrobca Číslo produktu:
FQPF70N10
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQPF70N10-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 35A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventár:
1000 Ks Nové Originálne Na Sklade
12848357
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQPF70N10 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
Tube
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
35A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
23mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3300 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
62W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
FQPF70
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
2156-FQPF70N10-OS
ONSONSFQPF70N10
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDPF8D5N10C
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
995
ČÍSLO DIELU
FDPF8D5N10C-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.73
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDC636P
MOSFET P-CH 20V 2.8A SUPERSOT6
AOTF4185
MOSFET P-CH 40V 34A TO220FL
FDD6N50TM-WS
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
