Výrobca Číslo produktu:
FQPF7N20
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQPF7N20-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 4.8A TO220F
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 4.8A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Inventár:
12849869
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQPF7N20 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.8A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
690mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
37W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
TO-220F-3
Balenie / puzdro
TO-220-3 Full Pack
Základné číslo produktu
FQPF7
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
1,000
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFU220PBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2912
ČÍSLO DIELU
IRFU220PBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.52
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
RCX080N25
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
246
ČÍSLO DIELU
RCX080N25-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.43
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
RCX081N20
VÝROBCA
Rohm Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
147
ČÍSLO DIELU
RCX081N20-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.38
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
