Výrobca Číslo produktu:
FQU1N60CTU
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQU1N60CTU-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole IPAK
Inventár:
12850201
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQU1N60CTU Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
170 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
IPAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
FQU1N60
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
70
Iné mená
2156-FQU1N60CTU-OS
FAIFSCFQU1N60CTU
FQU1N60CTU-DG
FQU1N60CTUFS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD1NK60-1
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5751
ČÍSLO DIELU
STD1NK60-1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.38
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STU2N62K3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
STU2N62K3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.52
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDD26AN06A0
MOSFET N-CH 60V 7A/36A TO252AA
FQPF9N50CYDTU
MOSFET N-CH 500V 9A TO220F-3
AO3406
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3L
