Výrobca Číslo produktu:
FQU2N60TU
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQU2N60TU-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventár:
12850182
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQU2N60TU Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
350 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I-PAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
FQU2
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,040
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD2HNK60Z-1
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3054
ČÍSLO DIELU
STD2HNK60Z-1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.51
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STU2N62K3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3000
ČÍSLO DIELU
STU2N62K3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.52
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
AON6284
MOSFET N-CH 80V 24A/78A 8DFN
FDP75N08
MOSFET N-CH 75V 75A TO220-3
AO3419
MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23-3L
