Výrobca Číslo produktu:
FQU4N50TU-WS
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQU4N50TU-WS-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 2.6A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventár:
12850328
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQU4N50TU-WS Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.7Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
460 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 45W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
I-PAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
FQU4N50
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
70
Iné mená
FQU4N50TU-WS-DG
FQU4N50TU_WS-DG
FQU4N50TU_WS
FQU4N50TU-WSOS
2156-FQU4N50TU-WS-OS
ONSONSFQU4N50TU-WS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD3NK50Z-1
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4279
ČÍSLO DIELU
STD3NK50Z-1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.26
Typ substitútu
Similar
ČÍSLO DIELU
STD4N52K3
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STD4N52K3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.50
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQP3N80C
MOSFET N-CH 800V 3A TO220-3
FDB44N25TM
MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
FDS8449
MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC
