Výrobca Číslo produktu:
FQU9N25TU
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
FQU9N25TU-DG
Popis:
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
Podrobný popis:
N-Channel 250 V 7.4A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Through Hole IPAK
Inventár:
12847415
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
FQU9N25TU Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
QFET®
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
250 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
420mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
5V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
700 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
IPAK
Balenie / puzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Základné číslo produktu
FQU9N25
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
70
Iné mená
ONSONSFQU9N25TU
FQU9N25TU-DG
2832-FQU9N25TU-488
2832-FQU9N25TU
FQU9N25TUOS
2156-FQU9N25TU-OS
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Not Applicable
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FQU10N20CTU
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1315
ČÍSLO DIELU
FQU10N20CTU-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.37
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STU7NF25
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2850
ČÍSLO DIELU
STU7NF25-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.53
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDD1600N10ALZ
MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
MMSF3P02HDR2
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
FDAF59N30
MOSFET N-CH 300V 34A TO3PF
