Výrobca Číslo produktu:
HUF75309T3ST
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
HUF75309T3ST-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 3A SOT223-4
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Inventár:
12837869
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
HUF75309T3ST Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
70mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
23 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
352 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.1W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-223-4
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základné číslo produktu
HUF75
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDB86363-F085
MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
FDB150N10
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
FDP120AN15A0
MOSFET N-CH 150V 2.8A/14A TO220