HUF75531SK8T
Výrobca Číslo produktu:

HUF75531SK8T

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

HUF75531SK8T-DG

Popis:

MOSFET N-CH 80V 6A 8SOIC
Podrobný popis:
N-Channel 80 V 6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventár:

12846785
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

HUF75531SK8T Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
UltraFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
80 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
30mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
82 nC @ 20 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1210 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
8-SOIC
Balenie / puzdro
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Základné číslo produktu
HUF75

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IRF7473TRPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6945
ČÍSLO DIELU
IRF7473TRPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.53
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPB70N12S311ATMA1

MOSFET N-CHANNEL_100+

onsemi

FQP19N20

MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3

onsemi

FDS6690A

MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC

onsemi

HUFA75639S3ST-F085A

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK