Výrobca Číslo produktu:
HUF76629D3ST-F085
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
HUF76629D3ST-F085-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 20A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 20A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12836944
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
HUF76629D3ST-F085 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
UltraFET™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
52mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1280 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
150W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
HUF76
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
HUF76629D3ST_F085-DG
HUF76629D3ST_F085CT
HUF76629D3ST-F085TR
HUF76629D3ST_F085DKR
HUF76629D3ST_F085DKR-DG
HUF76629D3ST-F085CT
HUF76629D3ST_F085TR-DG
HUF76629D3ST-F085DKR
HUF76629D3ST_F085
HUF76629D3ST_F085CT-DG
HUF76629D3ST_F085TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD15NF10T4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2040
ČÍSLO DIELU
STD15NF10T4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.48
Typ substitútu
Similar
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQU8N25TU
MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK
FDD8445-F085P
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
FDMC010N08LC
MOSFET N-CH 80V 11A/50A 8PQFN
