Výrobca Číslo produktu:
IRLR210ATM
Product Overview
Výrobca:
onsemi
Číslo dielu:
IRLR210ATM-DG
Popis:
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK
Podrobný popis:
N-Channel 200 V 2.7A (Tc) 2.5W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventár:
12839592
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IRLR210ATM Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
onsemi
Balenie
-
Seriál
-
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
200 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1.35A, 5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
240 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2.5W (Ta), 21W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IRLR21
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FDD3672-F085
MOSFET N-CH 100V 44A TO252AA
FDT86246
MOSFET N-CH 150V 2A SOT223-4
FDP55N06
MOSFET N-CH 60V 55A TO220-3
