MJ11029G
Výrobca Číslo produktu:

MJ11029G

Product Overview

Výrobca:

onsemi

Číslo dielu:

MJ11029G-DG

Popis:

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 50A, 6
Podrobný popis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60 V 50 A 300 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Inventár:

350 Ks Nové Originálne Na Sklade
12968022
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

MJ11029G Technické špecifikácie

Kategória
Bipolárny (BJT), Jednoduché bipolárne tranzistory
Výrobca
onsemi
Balenie
Bulk
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ tranzistora
PNP - Darlington
Prúd - kolektor (Ic) (max.)
50 A
Napätie - prieraz kolektora žiariča (max.)
60 V
Nasýtenie Vce (max.) @ Ib, Ic
3.5V @ 500mA, 50A
Prúd - hranie kolektora (max.)
2mA
Zisk prúdu jednosmerného prúdu (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 25A, 5V
Výkon - Max
300 W
Frekvencia - Prechod
-
Prevádzková teplota
-55°C ~ 200°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balenie / puzdro
TO-204AE
Balík zariadení dodávateľa
TO-204 (TO-3)

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
116
Iné mená
2156-MJ11029G-488

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
Vendor Undefined
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
sanyo

2SC3458L

2SC3458 - NPN TRIPLE DIFFUSED PL

fairchild-semiconductor

SS9014CBU

TRANS NPN 45V 0.1A TO92-3

renesas-electronics-america

RJP63K2DPK-M2#T0

DISCTRETE / POWER TRANSISTOR

nxp-semiconductors

PMBT2907A,215

NEXPERIA PMBT2907A - SMALL SIGNA